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Erschienen in: ATZelektronik 2/2015

01.04.2015 | Entwicklung

Leistungsoptimierung von IGBTs während des Kommutierungsprozesses

verfasst von: Dipl.-Ing. Jean-Marc Cyr

Erschienen in: ATZelektronik | Ausgabe 2/2015

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Auszug

Bei einigen elektronischen Schaltern — wie IGBTs — ist eine Steuerungsoptimierung der Schaltvorgänge aufgrund ihrer ausgeprägten Nicht-Linearität sehr schwierig. Die Schaltleistung des Halbleiters während des Kommutierungsprozesses wird in erster Linie durch die Faktoren Überspannung und Sperrschichttemperatur bestimmt. Die Überspannung ist damit abhängig von der Geschwindigkeit der Stromänderungen in den Hochfrequenzschleifen und dem Wert der parasitären Induktivität der Hochfrequenzschleifen. Es ist nicht möglich, die Verbindungen und Trennungen, die Induktivitäten und Kapazitäten erzeugen, vollständig zu eliminieren. TM4 hat eine Lösung. …

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Literatur
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Metadaten
Titel
Leistungsoptimierung von IGBTs während des Kommutierungsprozesses
verfasst von
Dipl.-Ing. Jean-Marc Cyr
Publikationsdatum
01.04.2015
Verlag
Springer Fachmedien Wiesbaden
Erschienen in
ATZelektronik / Ausgabe 2/2015
Print ISSN: 1862-1791
Elektronische ISSN: 2192-8878
DOI
https://doi.org/10.1007/s35658-015-0521-1

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