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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 7/2003

01.07.2003 | Atomic Structure and Nonelectronic Properties of Semiconductors

The use of magnesium to dope gallium nitride obtained by molecular-beam epitaxy from activated nitrogen

verfasst von: A. A. Vorob’ev, V. V. Korablev, S. Yu. Karpov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 7/2003

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Metadaten
Titel
The use of magnesium to dope gallium nitride obtained by molecular-beam epitaxy from activated nitrogen
verfasst von
A. A. Vorob’ev
V. V. Korablev
S. Yu. Karpov
Publikationsdatum
01.07.2003
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 7/2003
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/1.1592861

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