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A 3–7 GHz CMOS Power Amplifier Design for Ultra-Wide-Band Applications

  • 2021
  • OriginalPaper
  • Buchkapitel
Erschienen in:
Verfasst von
Vishakha Purnanand Bhale
Upena Dalal
Erschienen in
Advances in VLSI and Embedded Systems
Verlag
Springer Singapore

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Abstract

In der vorgeschlagenen Arbeit wurde ein zweistufiger Ultra-Wide-Band (UWB) -Leistungsverstärker mit 3-7 GHz und UMC 0,18 μm CMOS-Technologie entworfen und simuliert. Das vorgeschlagene Design des Leistungsverstärkers (PA) weist die einfachste Topologie auf, um die Anforderung niedriger Gain-Ripple, guter Linearität und kleiner Gruppen-Delay-Variationen gleichzeitig für Ultra-Wide-Band (UWB) -Anwendungen zu erfüllen und nur 0,75 mm2 Siliziumflächen abzudecken. Um eine niedrige Gain-Ripple, gute Gruppen-Delay-Variationen und Linearität gleichzeitig zu erzielen, werden die induktive Peaking- und Class-AB-Funktion auf beiden Stufen eingesetzt. Die Ergebnisse der Post-Layout-Simulation zeigen geringste Gain-Ripple von 19 ± 0,3 dB, eine gute Eingangs- und Ausgangsanpassung (UWB).
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Titel
A 3–7 GHz CMOS Power Amplifier Design for Ultra-Wide-Band Applications
Verfasst von
Vishakha Purnanand Bhale
Upena Dalal
Copyright-Jahr
2021
Verlag
Springer Singapore
Buch
Advances in VLSI and Embedded Systems

Print ISBN: 978-981-15-6228-0

Electronic ISBN: 978-981-15-6229-7

Copyright-Jahr: 2021

DOI
https://doi.org/10.1007/978-981-15-6229-7_19
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