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01.04.2013 | Ausgabe 2/2013

Journal of Electronic Testing 2/2013

A Bulk Built-In Voltage Sensor to Detect Physical Location of Single-Event Transients

Zeitschrift:
Journal of Electronic Testing > Ausgabe 2/2013
Autoren:
Zhichao Zhang, Yi Ren, Li Chen, Nelson J. Gaspard, Arthur. F. Witulski, Timothy W. Holman, Bharat L. Bhuva, Shi-Jie Wen, Ramaswami Sammynaiken
Wichtige Hinweise
Responsible Editor: K. Saluja
This work was supported in part by Natural Sciences and Engineering Research Council (NSERC), DTRA, CMC Microsystems Inc., and Cisco Systems Inc.

Abstract

A novel built-in voltage sensor circuit has been developed in 90-nm CMOS technology to characterize temporal and physical locations of ion hits. The sensing circuit only has 8 transistors, with very small area and power overhead. Simulations and laser experimental results illustrate the effectiveness of the sensing circuit. The sensors can be implemented in grid formation to systematically detect the ion hits in real time.

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