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05.10.2017 | Ausgabe 6/2017

Measurement Techniques 6/2017

A Method of Measuring the S-parameters of Transistors on a Simulator-Analyzer of Amplifiers and UHF Self-Excited Oscillators

Zeitschrift:
Measurement Techniques > Ausgabe 6/2017
Autoren:
S. V. Savel’kaev, S. V. Romas’ko
Wichtige Hinweise
Translated from Metrologiya, No. 2, pp. 31–44, April–June, 2017.
A method of measuring the S-parameters of transistors in the case of specified operating characteristics is proposed. The following techniques are considered: sequential normalization of the S-parameters relative to the natural impedance of a matched microstrip design calibrator used for additional calibration of a simulator-analyzer; measurement of the complex reflection coefficient and complex transmission coefficient of a transistor; and determination of the complex reflection coefficient of the matching circuits of a transistor. The flow diagram and a mathematical model of a simulator-analyzer are presented.

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