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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 3/2017

19.12.2016

A Model Describing the Band Gap Energy of the Strained In x Ga1−x N y Sb z As1−y−z Alloy (0 < x ≤ 0.5, 0 < y ≤ 0.05, 0 < z ≤ 0.1)

verfasst von: Chuan-Zhen Zhao, Qiang Fu, Tong Wei, Sha-Sha Wang, Ke-Qing Lu

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 3/2017

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Metadaten
Titel
A Model Describing the Band Gap Energy of the Strained In x Ga1−x N y Sb z As1−y−z Alloy (0 < x ≤ 0.5, 0 < y ≤ 0.05, 0 < z ≤ 0.1)
verfasst von
Chuan-Zhen Zhao
Qiang Fu
Tong Wei
Sha-Sha Wang
Ke-Qing Lu
Publikationsdatum
19.12.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 3/2017
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-016-5195-9

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