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6. A New Perspective on Growth of GaN from the Basic Ammonothermal Regime

  • 2021
  • OriginalPaper
  • Buchkapitel
Erschienen in:

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Abstract

Das Kapitel befasst sich mit dem ammonothermalen Wachstum von GaN, insbesondere mit dem grundlegenden ammonobasischen Regime. Sie führt ein neues chemisches Modell ein, das den Transport von Zwischenarten und die Rolle von Mineralisierern berücksichtigt. Die Autoren diskutieren die mögliche Existenz einer flüssigen Phase während des Wachstumsprozesses, die die Wachstumsraten und die Qualität von GaN-Kristallen signifikant beeinflussen könnte. Das Kapitel beleuchtet auch die Herausforderungen und Chancen bei der Steuerung des Wachstumsprozesses und schlägt neue Wege für Forschung und Entwicklung im Bereich des Halbleiterkristallwachstums vor.

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Titel
A New Perspective on Growth of GaN from the Basic Ammonothermal Regime
Verfasst von
Elke Meissner
Dietmar Jockel
Martina Koch
Rainer Niewa
Copyright-Jahr
2021
DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-030-56305-9_6
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