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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in:

20.07.2016

A novel method for the deposition of polycrystalline Sb2S3 thin films

verfasst von: P. A. Chate, D. J. Sathe, S. D. Lakde, V. D. Bhabad

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 12/2016

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Abstract

Antimony sulphide (Sb2S3) semiconductor thin films are synthesized by dip technique. The film thickness is of the order of 0.62 µm. Films are found to be uniform and well adherent to the glass substrates. Characterization of the films is carried out with XRD, optical absorption, morphological, compositional and electrical measurement. X-ray diffraction pattern showed that the films were polycrystalline in nature. From optical absorption spectra the band gap is estimated to be 2.10 eV. The electrical conduction is of the order of 10−7(Ω cm)−1.
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Metadaten
Titel
A novel method for the deposition of polycrystalline Sb2S3 thin films
verfasst von
P. A. Chate
D. J. Sathe
S. D. Lakde
V. D. Bhabad
Publikationsdatum
20.07.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 12/2016
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-016-5391-7

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