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Erschienen in:
2001 | OriginalPaper | Buchkapitel
A Novel Model for Boron Diffusion in SiGe Strained Layers Based on a Kinetics Driven Ge-B Pairing Mechanism
verfasst von : D. Villanueva, P. Moens, K. Rajendran, W Schoenmaker
Erschienen in: Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2001
Verlag: Springer Vienna
Enthalten in: Professional Book Archive
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A new temperature dependant model for the Ge-B pairing mechanism has been established and implemented in a process simulator. The combination of both lattice strain effects and GeB clustering has been successfully applied to various anneals. The match with experimental SIMS profiles is excellent.