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Erschienen in:
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2014 | OriginalPaper | Buchkapitel

A Planar SJ IGBT with Plugged p+ Collector

verfasst von : Jiazhen Wu, Frank Jiang, Zhigui Li, Xinnan Lin, Jin He

Erschienen in: Unifying Electrical Engineering and Electronics Engineering

Verlag: Springer New York

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Abstract

In order to improve the performance of the superjunction (SJ) Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), the plugged p+ collector is implemented. By replacing the p+ collector with an optimized combination of p− and p+ collectors, it offers better blocking voltage and switching speed simultaneously. Simulation results show that the blocking voltage increases from 204 to 329 V by 61.27 % and the switching-off time reduces from 0.335 to 0.170 μs by 49.3 %. The proposed structure shows lower loss, higher breakdown voltage, and higher switching speed compared with conventional SJ IGBT. The optimized switching-off loss (E off) and V cesat trade-off makes the proposed structure suitable for high-speed and high-power applications.

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Metadaten
Titel
A Planar SJ IGBT with Plugged p+ Collector
verfasst von
Jiazhen Wu
Frank Jiang
Zhigui Li
Xinnan Lin
Jin He
Copyright-Jahr
2014
Verlag
Springer New York
Buch
Unifying Electrical Engineering and Electronics Engineering

Print ISBN: 978-1-4614-4980-5

Electronic ISBN: 978-1-4614-4981-2

Copyright-Jahr: 2014

DOI
https://doi.org/10.1007/978-1-4614-4981-2_75

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    Bildnachweise