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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 2/2018

05.10.2017

A Resonant Tunneling Nanowire Field Effect Transistor with Physical Contractions: A Negative Differential Resistance Device for Low Power Very Large Scale Integration Applications

verfasst von: Rouzbeh Molaei Imen Abadi, Mehdi Saremi

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 2/2018

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Metadaten
Titel
A Resonant Tunneling Nanowire Field Effect Transistor with Physical Contractions: A Negative Differential Resistance Device for Low Power Very Large Scale Integration Applications
verfasst von
Rouzbeh Molaei Imen Abadi
Mehdi Saremi
Publikationsdatum
05.10.2017
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 2/2018
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-017-5823-z

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