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2020 | OriginalPaper | Buchkapitel

A Study of Electrical Field Stress Issues in Commercial Power MOSFET for Harsh Environment Applications

verfasst von : Erman Azwan Yahya, Ramani Kannan

Erschienen in: Practical Examples of Energy Optimization Models

Verlag: Springer Singapore

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Abstract

The inherent characteristics of power Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) for high switching speed operation at low power application makes the device very important especially in harsh environment space application. However, in the space application the device needs to withstand with radiation ambiance. This radiation source divided into two parts: particle radiation and photon radiation which are generally differentiated based on their mass and energy level. Radiation gives a significant impact to the performance of power MOSFET because of the passes of radiation ions through the device.

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Literatur
1.
Critchilow DL (1999) MOSFET scaling-the driver of VLSI technology. Proc IEEE 87(4):659–667CrossRef
2.
Ning TH (2001) History and future perspective of the modern silicon bipolar transistor. IEEE Trans Electron Dev 48(11)CrossRef
3.
Kaur R, Gupta P, Singh J (2017) A review on power MOSFET device structures. Int J Res Appl Sci Eng Technol 5:208–218CrossRef
4.
Patel MR (2004) Spacecraft power systems. CRC Press, Boca Raton
5.
Tang Z et al (2012) A novel structure for improving the SEGR of a VDMOS. J Semicond 33(4)CrossRef
6.
Tang Z et al (2014) A novel terminal structure for total dose irradiation hardened of a P-VDMOS. J Semicond 35(5)CrossRef
7.
Abubakkar SFO, Zabah NF, Abdullah Y, Fauzi DA, Muridan N, Hasbullah NF (2017) Effects of electron radiation on commercial power MOSFET with buck converter application. Nucl Sci Tech 28(3):1–5CrossRef
8.
Reitz Guenther (2008) Characteristic of the radiation field in low Earth orbit and in deep space. Zeitschrift für Medizinische Physik 18(4):233–243CrossRef
9.
Baumstark-Khan C, Facius R (2002) Life under conditions of ionizing radiation. In: Astrobiology. Springer, Berlin, pp 261–284
10.
Barth JL, Dyer C, Stassinopoulos E (2003) Space, atmospheric, and terrestrial radiation environments. IEEE Trans Nucl Sci 50:466–482CrossRef
11.
Bourdarie S, Xapsos M (2008) The near-earth space radiation environment. IEEE Trans Nucl Sci 55:1810–1832CrossRef
12.
Yahya EA, Kannan R, Baharudin Z, Krishnamurthy S (2017) An overview of instantaneous radiation effect on MOSFETs for harsh environment applications. In: 2017 IEEE 3rd international symposium in robotics and manufacturing automation (ROMA) (pp. 1–6). IEEE
13.
Johnston A (2010) Space radiation effects and reliability considerations for micro-and optoelectronic devices. IEEE Trans Device Mater Reliab 10(4):449–459CrossRef
14.
Schwank JR, Shaneyfelt MR, Fleetwood DM, Felix JA, Dodd PE, Paillet P et al (2008) Radiation effects in MOS oxides. IEEE Trans Nucl Sci 55:1833–1853CrossRef
15.
Stassinopoulos EG, Raymond JP (1988) The space radiation environment for electronics. Proc IEEE 76(11):1423–1442CrossRef
16.
Peretti G, Demarco G, Romero E, Tais C (2015) 3D thermal and mechanical analysis of a single event burnout. IEEE Trans Nucl Sci 62:1879–1887CrossRef
17.
Davidović V, Danković D, Ilić A, Manić I, Golubović S, Djorić-Veljković S et al (2016) NBTI and irradiation effects in p-channel power VDMOS transistors. IEEE Trans Nucl Sci 63:1268–1275CrossRef
18.
Liu S et al (2011) Effects of ion species on SEB failure voltage of power DMOSFET. IEEE Trans Nucl Sci 58(6 PART 1):2991–2997CrossRef
19.
Ferlet-Cavrois V, Binois C, Carvalho A, Ikeda N, Inoue M, Eisener B et al (2012) Statistical analysis of heavy-ion induced gate rupture in power MOSFETs—methodology for radiation hardness assurance. IEEE Trans Nucl Sci 59:2920–2929CrossRef
20.
Privat A, Touboul AD, Michez A, Bourdarie S, Vaille J, Wrobel F et al (2014) On the use of post-irradiation-gate-stress results to refine sensitive operating area determination. IEEE Trans Nucl Sci 61:2930–2935CrossRef
21.
Guide (2007) Mesh generation tools user. Mountain view, California: Synopsys, Inc.; Sentaurus Structure Editor User Guide, Version A-2007.12
22.
Version SD (2013) H-2013.03. Synopsys, Mountain View, CA, USA. 2013 Mar
Metadaten
Titel
A Study of Electrical Field Stress Issues in Commercial Power MOSFET for Harsh Environment Applications
verfasst von
Erman Azwan Yahya
Ramani Kannan
Copyright-Jahr
2020
Verlag
Springer Singapore
Buch
Practical Examples of Energy Optimization Models

Print ISBN: 978-981-15-2198-0

Electronic ISBN: 978-981-15-2199-7

Copyright-Jahr: 2020

DOI
https://doi.org/10.1007/978-981-15-2199-7_5