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Journal of Computational Electronics

Erschienen in:

09.05.2019

Adaptation of a compact SPICE level 3 model for oxide thin-film transistors

verfasst von: Kavindra Kandpal, Navneet Gupta

Erschienen in: Journal of Computational Electronics | Ausgabe 3/2019

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Abstract

Oxide thin-film transistors (TFTs) and metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) operate via different conduction mechanisms but exhibit similar device characteristics. In this work, a SPICE level 3 model originally defined for MOSFETs is successfully adapted to provide a behavioral model for oxide TFTs. This adapted compact model is applicable to all kinds of oxide TFTs, irrespective of the channel and dielectric material used. To capture the TFT behavior efficiently, the experimental characteristic of an oxide TFT is used to set various SPICE level 3 parameters.

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Titel: Adaptation of a compact SPICE level 3 model for oxide thin-film transistors
verfasst von: Kavindra Kandpal
Navneet Gupta
Publikationsdatum: 09.05.2019
Verlag: Springer US
Erschienen in: Journal of Computational Electronics / Ausgabe 3/2019
Print ISSN: 1569-8025
Elektronische ISSN: 1572-8137
DOI: https://doi.org/10.1007/s10825-019-01344-0

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