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Adlayer-free large-area single-crystal CVD graphene growth on copper

  • 31.10.2020
  • Review
Erschienen in:

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Abstract

Die chemische Dampfabscheidung (CVD) auf Kupferfolie hat das Potenzial, qualitativ hochwertiges Graphen im industriellen Maßstab zu produzieren, um seine Anwendungen in zukünftigen elektronischen und optoelektronischen Geräten zu realisieren. Während des Graphenwachstums beeinflussen verschiedene Parameter wie Katalysatorsubstrat, Temperatur, Durchflussrate von Vorläufergasen (Methan und Wasserstoff) und Sauerstoff auf dem Cu-Substrat direkt Graphenkorngröße, -dicke und -kristallinität. Forschern ist es gelungen, großflächiges Einkristall-Monolayer-Graphen auf Cu-Substrat zu erzielen. In diesem Review haben wir jedoch auch die Rolle und Optimierung dieser Wachstumsparameter diskutiert, um einschichtfreies, einkristallines Graphen auf Kupferfolie zu erreichen.

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Titel
Adlayer-free large-area single-crystal CVD graphene growth on copper
Verfasst von
Chaitanya Arya
K. Kanishka H. De Silva
Masamichi Yoshimura
Publikationsdatum
31.10.2020
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 24/2020
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-020-04706-8
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