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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 9/2020

Open Access 14.05.2020 | Topical Collection: 18th Conference on Defects (DRIP XVIII)

Alloy Stability of Ge1−xSnx with Sn Concentrations up to 17% Utilizing Low-Temperature Molecular Beam Epitaxy

verfasst von: Daniel Schwarz, Hannes S. Funk, Michael Oehme, Jörg Schulze

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 9/2020

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Metadaten
Titel
Alloy Stability of Ge1−xSnx with Sn Concentrations up to 17% Utilizing Low-Temperature Molecular Beam Epitaxy
verfasst von
Daniel Schwarz
Hannes S. Funk
Michael Oehme
Jörg Schulze
Publikationsdatum
14.05.2020
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 9/2020
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-020-08188-6

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