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Journal of Computational Electronics
Erschienen in: Journal of Computational Electronics 2/2015

01.06.2015

An analytical 3D model for short-channel effects in undoped FinFETs

verfasst von: Hamdy Abd El Hamid, Benjamin Iñiguez, Valeria Kilchytska, Denis Flandre, Yehea Ismail

Erschienen in: Journal of Computational Electronics | Ausgabe 2/2015

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Abstract

An analytical and scalable model for the threshold voltage in FinFETs has been developed by solving the 3-D Poisson equation using appropriate techniques. The model is also based on a physical analysis of the conduction path. The mobile charge term was considered in the 3-D Poisson’s equation to be solved. The threshold voltage is defined as the gate voltage to obtain a certain threshold charge density. Due to its 3-D basis, the model inherently accounts for short-channel effects, such as the threshold voltage roll-off and the Drain Induced Barrier Lowering effect. A very good agreement with 3-D numerical simulations has been observed.
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Metadaten
Titel
An analytical 3D model for short-channel effects in undoped FinFETs
verfasst von
Hamdy Abd El Hamid
Benjamin Iñiguez
Valeria Kilchytska
Denis Flandre
Yehea Ismail
Publikationsdatum
01.06.2015
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Computational Electronics / Ausgabe 2/2015
Print ISSN: 1569-8025
Elektronische ISSN: 1572-8137
DOI
https://doi.org/10.1007/s10825-015-0678-0

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