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Erschienen in:
Co-existence of Multiferroic Memories in CoFe2O4/Bi3.4Sm0.6Ti3O12 Composite Structures Kapitel lesen Erstes Kapitel lesen

2014 | OriginalPaper | Buchkapitel

An Analytical Study of Ion Implanted Strained-Si on SOI MOSFETs for Optimizing Switching Characteristics

verfasst von : Gopal Rawat, Mirgender Kumar, Sarvesh Dubey, S. Jit

Erschienen in: Physics of Semiconductor Devices

Verlag: Springer International Publishing

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In this paper, surface potential based analytical model of subthreshold swing of ion implanted strained-Si-on-Insulator (SSOI) MOSFETs have been presented. A comprehensive evaluation is presented to optimize the switching characteristics for this MOS structure. The modeling results are validated by comparing with the simulation data obtained by the two dimensional (2D) device simulator ATLAS™.

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Metadaten
Titel
An Analytical Study of Ion Implanted Strained-Si on SOI MOSFETs for Optimizing Switching Characteristics
verfasst von
Gopal Rawat
Mirgender Kumar
Sarvesh Dubey
S. Jit
Copyright-Jahr
2014
Verlag
Springer International Publishing
Buch
Physics of Semiconductor Devices

Print ISBN: 978-3-319-03001-2

Electronic ISBN: 978-3-319-03002-9

Copyright-Jahr: 2014

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-319-03002-9_50