nach oben

Journal of Computational Electronics

Erschienen in:

20.10.2017

An impressive structure containing triple trenches for RF power performance (TT-SOI-MESFET)

verfasst von: Mohammad K. Anvarifard

Erschienen in: Journal of Computational Electronics | Ausgabe 1/2018

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config

KI-gestützte Suche

Aus

Abstract

The radio-frequency (RF) power characteristics of a silicon-on-insulator metal–semiconductor field-effect transistor (SOI-MESFET) were improved with effective optimization of the simple structure. Separate triple trenches were introduced in the proposed device to improve the electrical performance. The SOI-MESFET with separate triple trenches (TT-SOI-MESFET) benefits from these trenches for dispersion of the potential lines, leading to enhanced RF power features. A comparison of the proposed structure with the simple SOI-MESFET structure revealed that the TT-SOI-MESFET exhibited improved RF power characteristics in terms of breakdown voltage, drain–source conductance, gate–source capacitance, total gate capacitance, maximum output power density, minimum noise figure and global lattice temperature.

Vorheriger Artikel Compact mole fraction-dependent modeling of I-V and C-V characteristics in AlGaN/GaN HEMTs

Nächster Artikel A GaN enhancement-mode reverse blocking MISHEMT with MIS field-effect drain for bidirectional switch

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

über 102.000 Bücher
über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

Automobil + Motoren
Bauwesen + Immobilien
Business IT + Informatik
Elektrotechnik + Elektronik
Energie + Nachhaltigkeit
Finance + Banking
Management + Führung
Marketing + Vertrieb
Maschinenbau + Werkstoffe
Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

über 67.000 Bücher
über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

Automobil + Motoren
Bauwesen + Immobilien
Business IT + Informatik
Elektrotechnik + Elektronik
Energie + Nachhaltigkeit
Maschinenbau + Werkstoffe

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

über 67.000 Bücher
über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

Bauwesen + Immobilien
Business IT + Informatik
Finance + Banking
Management + Führung
Marketing + Vertrieb
Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Udrea, F., Garner, D., Sheng, K., Popescu, A., Lim, H.T., Milne, V.I.: SOI power devices. Electron. Commun. Eng. J. 12(1), 27–40 (2000). doi:10.1049/ecej:20000104 CrossRef

Colinge, J.P.: Thin-film SOI technology: the solution to many submicron CMOS problems. In: Electron Devices Meeting, IEDM’89. Technical Digest., International. IEEE, pp. 817–820 (1989). doi:10.1109/IEDM.1989.74178

Jamali Mahabadi, S.E.: Upper drift region double step partial SOI LDMOSFET: a novel device for enhancing breakdown voltage and output characteristics. Superlattices Microstruct. 89, 345–354 (2016). doi:10.1016/j.spmi.2015.11.011 CrossRef

Jamali Mahabadi, S.E., Rajabi, S., Loiacono, J.: A novel partial SOI LDMOSFET with periodic buried oxide for breakdown voltage and self heating effect enhancement. Superlattices Microstruct. 85, 872–879 (2015). doi:10.1016/j.spmi.2015.07.011 CrossRef

Weber, M.: Analysis of Zincblende-Phase GaN, Cubic-Phase SiC, and GaAs MESFETs Including a Full-Band Monte Carlo Simulator. Georgia Inst. Technol, Atlanta (2005)

Chattopadhyay, S.N., Pandey, P., Overton, C.B., Krishnamoorthy, S., Leong, S.K.: Simulation of 4H–SiC MESFET for high power and high frequency response. Semicond. Technol. Sci. 8, 251–263 (2008). doi:10.5573/JSTS.2008.8.3.251 CrossRef

Mahesh, K., Whartenby, J.C., Wolkstein, H.J.: Predistortion linearize using GaAs dual-gate MESFET for TWTA and SSPA used in satellite transponders. IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 33, 1479–1488 (1985). doi:10.1109/TMTT.1985.1133243 CrossRef

Sze, S.M., Ng, K.K.: Physics of Semiconductor Devices, 3rd edn. Wiley, New Jersey (2006)CrossRef

Elahipanah, H., Orouji, A.A.: Gain improvement and microwave operation of 4H-SiC MESFET with a new recessed metal ring structure. Microelectron. J. 43, 466–472 (2012). doi:10.1016/j.mejo.2012.03.016 CrossRef

10.

Ramezani, Z., Orouji, A.A., Morteza, R.: High-performance SOI MESFET with modified depletion region using a triple recessed gate for RF applications. Mater. Sci. Semicond. Process. 30, 75–84 (2015). doi:10.1016/j.mssp.2014.09.023 CrossRef

11.

Orouji, A.A., Ramezani, Z., Sheikholeslami, S.M.: A novel SOI-MESFET structure with double protruded region for RF and high voltage applications. Mater. Sci. Semicond.Process. 30, 545–553 (2015). doi:10.1016/j.mssp.2014.10.037 CrossRef

12.

Ramezani, Z., Orouji, A.A.: A silicon-on-insulator metal–semiconductor field-effect transistor with an L-shaped buried oxide for high output-power density. Mater. Sci. Semicond. Process. 19, 124–129 (2014). doi:10.1016/j.mssp.2013.11.011 CrossRef

13.

Aminbeidokhti, A., Orouji, A.A., Rahmaninezhad, S., Ghasemian, M.: A novel high-breakdown-voltage SOI MESFET by modified charge distribution. IEEE Trans. Electron. Devices 59, 1255–1261 (2012). doi:10.1109/TED.2012.2186580 CrossRef

14.

Ramezani, Z., Orouji, A.A.: Improving self-heating effect and maximum power density in SOI MESFETs by using the Hole’s Well under channel. IEEE Trans. Electron. Devices 61, 3570–3573 (2014). doi:10.1109/TED.2014.2352317 CrossRef

15.

ATLAS User’s Manual: 2-D Device Simulator, SILVACO International, Santa Clara, CA, USA (2012)

16.

Saremi, M., Afzali-Kusha, A., Mohammadi, S.: Ground plane fin-shaped field effect transistor (GP-FinFET): a FinFET for low leakage power circuits. Microelectron. Eng 95, 74–82 (2012). doi:10.1016/j.mee.2012.01.009 CrossRef

17.

Saremi, M., Ebrahimi, B., Afzali-Kusha, A., Mohammadi, S.: A partial-SOI LDMOSFET with triangular buried-oxide for breakdown voltage improvement. Microelectron. Reliab. 51, 2069–2076 (2012). doi:10.1016/j.microrel.2011.07.084 CrossRef

18.

Ramezani, Z., Orouji, A.A., Aminbeidokhti, A.: A novel symmetric GaN MESFET dual layers of Si3N4. Phys. E: Low-Dimens. Syst. Nanostruct. 70, 135–140 (2015). doi:10.1016/j.physe.2015.02.025 CrossRef

19.

Jamali Mahabadi, S.E., Moghadam, H.A.: Comprehensive study of a 4H–SiC MES–MOSFET. Phys. E: Low-Dimens. Syst. Nanostruct. 74, 25–29 (2015). doi:10.1016/j.physe.2015.06.019 CrossRef

20.

Jamali Mahabadi, S.E., Orouji, A.A., Keshavarzi, P., Rajabi, S., Moghadam, H.A., Haghighi, M.I.P.: A novel step buried oxide partial SOI LDMOSFET with triple drift layer. In: International Conference on Signal Processing, Communication, Computing and Networking Technologies (ICSCCN), pp. 174–177 (2011). doi:10.1109/ICSCCN.2011.6024538

21.

Moghadam, H.A., Jamali Mahabadi, S.E., Rajabi, S.: Combination of a 4H-SiC MESFET with a 4H-SiC MOSFET to realize a high voltage MOSFET. In: 2011 International Conference on Signal Processing, Communication, Computing and Networking Technologies (ICSCCN), pp. 172–173 (2011). doi:10.1109/ICSCCN.2011.6024537

22.

Rajabi, S., Orouji, A.A., Moghadam, H.A., Jamali Mahabadi, S.E., Fathipour, M.: A novel power High Electron Mobility Transistor with partial stepped recess in the drain access region for performance improvement. In: International Conference on Signal Processing, Communication, Computing and Networking Technologies (ICSCCN), pp. 269–271 (2011). doi:10.1109/ICSCCN.2011.6024557

Titel: An impressive structure containing triple trenches for RF power performance (TT-SOI-MESFET)
verfasst von: Mohammad K. Anvarifard
Publikationsdatum: 20.10.2017
Verlag: Springer US
Erschienen in: Journal of Computational Electronics / Ausgabe 1/2018
Print ISSN: 1569-8025
Elektronische ISSN: 1572-8137
DOI: https://doi.org/10.1007/s10825-017-1078-4

Neuer Inhalt

Bildnachweise

VDI-Icon, Profil Icon, inhalt2, Springer Professional Modul/© Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH, Nachhaltigkeitsaward Key Visual/© Cometis AG/Global ESG Monitor | Daniel Rupp | Generiert mit KI, Search Icon, Banner Hanser, Arbeitszeit/© granata68 / Fotolia, E-Autos im Fuhrpark: Lohnt sich das noch?/© Petair / stock.adobe.com, Kryptowährungen/© gopixa / Getty Images / iStock, Zeitschrift Wissensmanagement Cover, PatentFit-Logo/© Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH, Sustainibility Finance/© Robert Kneschke / stock.adobe.com / Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH, Zukunftswerkstatt Sales Excellence 2024/© AndreyPopov / Getty Images / iStock, 2023_Antrieb/© supervisuell

Springer Professional

Abstract

Bitte loggen Sie sich ein, um Zugang zu Ihrer Lizenz zu erhalten.

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Springer Professional "Technik"

Springer Professional "Wirtschaft"

Weitere Artikel der Ausgabe 1/2018

Responsivity calculation of group IV-based interband MQWIP

Quantum Monte Carlo simulation of dissipative transport using Bohmian trajectories

Suppression of coupling in a microstrip antenna array by grounded defective strips in Bluetooth devices

Yagi–Uda nanoantenna For NIR domain

DFT study on structural, electronic, and optical properties of cubic and monoclinic CuO

Graded channel doping junctionless MOSFET: a potential high performance and low power leakage device for nanoelectronic applications

Neuer Inhalt

Bitte loggen Sie sich ein, um Zugang zu Ihrer Lizenz zu erhalten.

Bitte loggen Sie sich ein, um Zugang zu Ihrer Lizenz zu erhalten.