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01.02.2011 | Ausgabe 2/2011

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2/2011

Analysis of critical doping level of sprayed antimony doped tin oxide films

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 2/2011
Autoren:
K. Ravichandran, P. Philominathan

Abstract

Antimony doped tin oxide films are fabricated using a simplified and inexpensive spray pyrolysis technique. The variation in the sheet resistance, as a function of Sb/Sn ratio in the spraying solution, is studied. The sheet resistance decreases with the increase in doping level, attains a minimum at a particular doping level and increases with further doping. This critical value of the doping ratio (Sb/Sncritical), at which the transition takes place, is found to be 2.5 at.%, when the concentration of the precursor solution is 0.8 M and 4.5 at.% when the concentration is 0.4 M. The reason for this variation is analyzed with the support of the Sb/Sncritical values, obtained by various researchers. This Sb/Sncritical is found to depend mainly on the carrier concentration of the films.

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