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Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Analysis of dielectric, impedance and electrical properties of interfacial layer: AlN

  • 01.04.2023
Erschienen in:
Verfasst von
D. E. Yıldız
A. Tataroglu
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 12/2023

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Abstract

Die Studie konzentriert sich auf die dielektrischen, impedanz- und elektrischen Eigenschaften von Aluminiumnitrid (AlN) als Grenzflächenschicht in Halbleiterbauelementen. Die hohe Dielektrizitätskonstante, die hervorragende Wärmeleitfähigkeit und die große Bandbreite machen AlN ideal für MIM- und MIS / MOS-Geräte. Die Analyse verwendet Einlassspektroskopie, um die Kapazität und Leitfähigkeit eines Au / Ti / AlN / n-Si-Geräts zu untersuchen, was den Einfluss von Grenzflächenfallen und Serienwiderstand auf die Geräteleistung aufzeigt. Die Forschung beleuchtet das frequenzabhängige Verhalten von Kapazität und Leitfähigkeit und bietet Einblicke in die dielektrischen Eigenschaften und Entspannungsmechanismen von AlN. Die Studie kommt zu dem Schluss, dass AlN ein vielversprechendes Material für MOS-Kondensatoren in elektronischen Schaltkreisen ist und ein umfassendes Verständnis seiner elektrischen Eigenschaften bietet.
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Titel
Analysis of dielectric, impedance and electrical properties of interfacial layer: AlN
Verfasst von
D. E. Yıldız
A. Tataroglu
Publikationsdatum
01.04.2023
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 12/2023
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-023-10235-x
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