05.10.2019
Analysis of forward and reverse biased current–voltage characteristics of Al/Al2O3/n-Si Schottky diode with atomic layer deposited Al2O3 thin film interlayer
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 21/2019
EinloggenAktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.
Wählen Sie Textabschnitte aus um mit Künstlicher Intelligenz passenden Patente zu finden. powered by
Markieren Sie Textabschnitte, um KI-gestützt weitere passende Inhalte zu finden. powered by