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01.06.2015 | Ausgabe 2/2015

Journal of Computational Electronics 2/2015

Analysis of rare events effect on single-electronics simulation based on orthodox theory

Zeitschrift:
Journal of Computational Electronics > Ausgabe 2/2015
Autoren:
Ali A. Elabd, El-Sayed M. El-Rabaie, Abdelaziz T. Shalaby

Abstract

The simulation of single-electron circuits is mainly based on using the Monte Carlo method which is more suitable to simulate quantum systems. The long simulation time is the main disadvantage of the Monte Carlo algorithms. This paper discusses in detail when the Monte Carlo is really needed by considering or neglecting the rare events. The present paper proposes an approach whereby the simulation time can be shortened without greatly affecting the accuracy of results if we are forced to use the Monte Carlo method. Three single-electron circuits are considered. The first is single-electron circuits with single output and few islands. The second type is a single output with more islands than the first type. The third type is the multi output circuits. All the simulation results are obtained by our simulator MUSES and compared with the widely accepted Monte Carlo simulator for single-electronics SIMON.

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