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Microsystem Technologies

Erschienen in:

07.12.2016 | Technical Paper

Analytical subthreshold current modeling of nanoscale ultra-thin body ultra-thin box SOI MOSFETs with a vertical gaussian doping profile

verfasst von: Sufen Wei, Guohe Zhang, Huixiang Huang, Jing Liu, Zhibiao Shao, Li Geng, Cheng-Fu Yang

Erschienen in: Microsystem Technologies | Ausgabe 1/2018

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Abstract

Based on the evanescent-mode analysis, an insightful study of the channel potential is performed for the nanoscale ultra-thin body ultra-thin box SOI MOSFETs with a vertical Gaussian doping. And a two-dimensional (2D) analytical subthreshold current model is presented. The front and the back channel subthreshold currents are effectively derived using the inversion layer current density model which takes the Gaussian doping into account. The accuracy of the model has been verified by 2D numerical device simulations using Sentaurus Technology Computer-Aided Design (TCAD) from Synopsys. The model provides a deep understanding and can be instrumental for the nanoscale ultra-thin body ultra-thin box SOI MOSFETs with a non-uniform doping profile operating in the subthreshold regime.

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Titel: Analytical subthreshold current modeling of nanoscale ultra-thin body ultra-thin box SOI MOSFETs with a vertical gaussian doping profile
verfasst von: Sufen Wei
Guohe Zhang
Huixiang Huang
Jing Liu
Zhibiao Shao
Li Geng
Cheng-Fu Yang
Publikationsdatum: 07.12.2016
Verlag: Springer Berlin Heidelberg
Erschienen in: Microsystem Technologies / Ausgabe 1/2018
Print ISSN: 0946-7076
Elektronische ISSN: 1432-1858
DOI: https://doi.org/10.1007/s00542-016-3221-8

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