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Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Anchoring CoS on three-dimensional porous rGO thin films as efficient counter electrodes for dye-sensitized solar cells

  • 05.11.2020
Erschienen in:
Verfasst von
Jun Liu
Weifeng Yang
Aixiang Wei
Huajiang Zuo
Weiwei Zhang
Kangle Liu
Zhen Liu
Zhiming Xiao
Yu Zhao
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 24/2020

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Abstract

Für die Entwicklung farbstoffsensibilisierter Solarzellen (DSSCs) ist das rationale Design fortschrittlicher kostengünstiger Gegenelektroden (CE) von entscheidender Bedeutung. Hierzu berichten wir über eine neuartige CoS / reduzierte Graphenoxid (CoS / rGO) -Verbundgegenelektrode mittels einer einfachen und schnellen Mikrowellenbestrahlung plus Ionenaustauschmethode. CoS-Nanopartikel sind stark auf dreidimensionalen (3D) porösen rGO-Dünnschichten verankert. Aufgrund positiver Vorteile wie hohe katalytische Eigenschaften, erhöhte aktive Fläche und elektrische Leitfähigkeit verfügt die DSSC auf Basis von CoS / rGO-Gegenelektroden über eine Leistungsumwandlungseffizienz (PCE) von 6,86%, die der auf Basis von gesputterten Pt-Gegenelektroden (6,50%) überlegen ist. Unsere Ergebnisse deuten darauf hin, dass CoS / rGO-Verbunddünnschichten ein kostengünstiger und hocheffizienter CE für DSSCs sind.
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Titel
Anchoring CoS on three-dimensional porous rGO thin films as efficient counter electrodes for dye-sensitized solar cells
Verfasst von
Jun Liu
Weifeng Yang
Aixiang Wei
Huajiang Zuo
Weiwei Zhang
Kangle Liu
Zhen Liu
Zhiming Xiao
Yu Zhao
Publikationsdatum
05.11.2020
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 24/2020
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-020-04765-x
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