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10.06.2019 | Ausgabe 14/2019

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 14/2019

Annealing effects on the performances of Bismuth-doped Indium Zinc Oxide thin-film transistors

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 14/2019
Autoren:
Dong Lin, Xudong Zheng, Jianwen Yang, Kaiwen Li, Jingjing Shao, Qun Zhang
Wichtige Hinweise

Publisher's Note

Springer Nature remains neutral with regard to jurisdictional claims in published maps and institutional affiliations.

Abstract

In this work, annealing effects on the characteristics of bismuth-doped indium zinc oxide (IZBO) thin films and the electrical properties of IZBO thin-film transistors (TFTs) were investigated. The X-ray diffraction results reveal that all the IZBO thin films have an amorphous structure regardless of different annealing temperatures. In addition, all the a-IZBO thin films exhibit high transmittance in the visible light region. It is found that the annealing temperature has strong influences on the performances of a-IZBO TFTs. The devices annealed at 400 °C exhibit optimum performances with a field effect mobility of 25.4 cm2 V−1 s−1, a subthreshold swing of 0.22 V decade−1, a threshold voltage of −1.4 V and an on-to-off current ratio of 4.3 × 107. Stability of the devices under positive bias stress and negative bias stress were studied as well.

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