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Erschienen in:
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2018 | OriginalPaper | Buchkapitel

Applications of SiC MOSFETs in AC–DC Converters Dedicated for Distributed Generation Systems

verfasst von : S. Piasecki, M. P. Kazmierkowski

Erschienen in: Analysis and Simulation of Electrical and Computer Systems

Verlag: Springer International Publishing

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Abstract

This chapter briefly describes possibilities and benefits offered by silicon carbide power transistors, especially SiC MOSFETS, implemented in AC–DC converters dedicated for distributed generation systems. Particular features provided by the wide band gap devices, as high efficiency or high power density, are illustrated by several laboratory prototypes. The chapter presents design parameters of the analyzed demonstrators where different types of SiC MOSFETS are considered. Moreover, experimentally measured efficiency characteristics and current–voltage waveforms are presented for each prototype.

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Metadaten
Titel
Applications of SiC MOSFETs in AC–DC Converters Dedicated for Distributed Generation Systems
verfasst von
S. Piasecki
M. P. Kazmierkowski
Copyright-Jahr
2018
Buch
Analysis and Simulation of Electrical and Computer Systems

Print ISBN: 978-3-319-63948-2

Electronic ISBN: 978-3-319-63949-9

Copyright-Jahr: 2018

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-319-63949-9_1

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