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11.08.2015 | Automobil + Motoren | Nachricht | Onlineartikel

Neue Mosfets von Infineon für leichte E-Fahrzeuge und E-Bikes

Autor:
Christiane Brünglinghaus
1:30 Min. Lesedauer

Infineon Technologies hat eine neue Produktfamilie der StrongIRFE-Mosfets auf den Markt gebracht, wie der Anbieter von Halbleitern bekannt gibt. Die Mosfets sollen bestmögliche Energieeffizienz bei reduziertem Platzbedarf bieten.

Infineon Technologies hat eine neue, besonders kompakte Produktfamilie der StrongIRFET-Mosfets entwickelt. Die neuen Leistungsbauelemente sind nach Anhaben des Unternehmens für Gleichspannungsanwendungen einschließlich batteriebetriebener Schaltungen und Gleichstrommotoren (bürstenbehaftet oder bürstenlos) ausgelegt. Zum Einsatz kommen die energieeffizienten und platzsparenden Mosfets unter anderem in leichten Elektrofahrzeugen und E-Bikes. Das kompakte Medium-Can-DirectFE-Gehäuse mit einem optimierten Layout soll dies möglich machen.

"Die hohe Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit der DirectFET-Gehäusetechnologie werden durch das neue Layout mit reduziertem thermischen Widerstand nochmals gesteigert. In Kombination mit einem robusten Silizium-Chip verbessern die neuen StrongIRFET-DirectFET-Mosfets die Systemabmessung sowie die Effizienz und verringern die Kosten. Damit sind sie prädestiniert für alle platzkritischen Applikationen, für die Hersteller und Anwender einen hohen Wirkungsgrad fordern", sagte Stephane Ernoux, Product Marketing, Power Management and Multimarket Business, Infineon Technologies.

Die neuen StrongIRFET-Bauelemente sind in einem Medium-Can-DirectFET-Gehäuse untergebracht. Das Gehäuse mit der Möglichkeit zur doppelseitigen Kühlung liefere sowohl höchste Leistungsdichte als auch ein sehr gutes thermisches Management. Indem das Gate-Pad bei diesen neuen Bausteinen in der Ecke des Chips platziert wurde, sei der Source-Kontaktbereich deutlich vergrößert. Damit habe sich der thermische Widerstand gegenüber der Leiterplatte im Vergleich zu den bisherigen DirectFET-Gehäusen nochmals reduzieren lassen.

Die neuen Bauelemente sollen im Bereich von 40 bis 75 V verfügbar sein. Sie sollen die Leistungsmerkmale der StrongIRFET-Familie bieten, wie geringer Durchlasswiderstand (R DS(on)) für geringe Leitungsverluste, hohe Stromtragfähigkeit und robustes Silizium für hohe Systemzuverlässigkeit.

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