Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Bücher
Zeitschriften
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
SLX-Digitalkonferenz: Zukunftswerkstatt 2024

Mehr Umsatz mit Top-Kontakten

Am 7. Mai erfahren Sie, wie Vertriebsteams Leadgenerierung, Leadnurturing und Leadstrategien effizient steuern können.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Journal of Computational Electronics
Erschienen in: Journal of Computational Electronics 4/2016

03.09.2016

Behavior of the dielectric function of monolayer \(\hbox {MoS}_{2}\) under Uniaxial Strain

verfasst von: Maryam Nayeri, Morteza Fathipour, Arash Yazdanpanah Goharrizi

Erschienen in: Journal of Computational Electronics | Ausgabe 4/2016

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Abstract

In this paper, we demonstrate how the band gap of monolayer \(\hbox {MoS}_{2}\) can be tuned by applying uniaxial strain. We also investigate the influence of uniaxial strain of more than 1 % on the behavior of the dielectric function. Our simulation results reveal that tension leads to a red shift in the spectrum of the dielectric function while the compression causes a blue shift. Furthermore, in both cases, the first energy peak changes nearly linearly. Excellent agreement exists between our numerical investigations and first principle calculations. These observations demonstrate new potentials for the monolayer \(\hbox {MoS}_{2}\) in nanoelectronics and optoelectronics applications.
Vorheriger Artikel Self-consistent quantum drift-diffusion model for multiple quantum well IMPATT diodes
Nächster Artikel Basis adaptation for the stochastic nonlinear Poisson–Boltzmann equation

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Literatur
1.
Wang, Q.H., Kalantar-Zadeh, K., Kis, A., Coleman, J.N., Strano, M.S.: Electronics and optoelectronics of two-dimensional transition metal dichalcogenides. Nat. Nanotech. 7, 699–712 (2012)CrossRef
2.
Wang, H., Yuan, H., Hong, S., Li, Y., Cui, Y.: Physical and chemical tuning of two-dimensional transition metal dichalcogenides. Chem. Soc. Rev. 44, 2664–2680 (2015)CrossRef
3.
Lopez-Sanchez, O., Lembke, D., Kayci, M., Radenovic, A., Kis, A.: Ultrasensitive photodetectors based on monolayer MoS\(_{2}\). Nat. Nanotech. 8, 497–501 (2013)CrossRef
4.
Ye, M., Winslow, D., Zhang, D., Pandey, R., Yap, Y.K.: Recent advancement on the optical properties of two-dimensional molybdenum disulfide (MoS\(_{2}\)) thin films photonics. Thin Film. Photon. 2, 288–307 (2015)
5.
Chhowalla, M., Shin, H.S., Eda, G., Li, L.-J., Loh, K.P., Zhang, H.: The chemistry of two-dimensional layered transition metal dichalcogenide nanosheets. Nat. Chem. 5, 263–275 (2013)CrossRef
6.
Radisavljevic, B., Radenovic, A., Brivio, J., Giacometti, V., Kis, A.: Single-layer MoS\(_{2}\) transistors. Nat. Nanotech. 6, 147–150 (2011)CrossRef
7.
Cappelluti, E., Roldan, R., Silva-Guillen, J. A., Ordejen, P., Guinea, F.: Tight-binding model and direct-gap/indirect-gap transition in single-layer and multi-layer MoS\(_{2}\). Phys. Rev. B 88, 075409–075427 (2013)
8.
9.
Yu, Y.P., Cardona, M.: Fundamentals of Semiconductors: Physics and Materials Properties. Springer, Berkeley (2010)CrossRefMATH
10.
Roldan, R., Gomez, A. C., Cappelluti, E., Guinea, F.: Strain engineering in semiconducting two-dimensional crystals. J. Phys.: Condens. Matter 27, 313201–313219 (2015)
11.
Nayak, A.P., Pandey, T., Voiry, D., Liu, J., Moran, S.T., Sharma, A., Tan, C., Chen, C.H., Li, L.J., Chhowalla, M., Lin, J.F., Singh, A.K., Akinwande, D.: Pressure-dependent optical and vibrational properties of monolayer molybdenum disulfide. Nano Lett. 15, 346–353 (2015)CrossRef
12.
Alkis, S., Oztas, T., Aygun, L.E., Bozkurt, F., Okyay, A.K., Ortac, B.: Thin film MoS\(_{2}\) nanocrystal based ultraviolet photodetector. Opt. Express 20, 21815–21820 (2012)CrossRef
13.
Xu, W.B., Huang, B.J., Li, P., Li, F., Zhang, C.W., Wang, P.J.: The electronic structure and optical properties of Mn and B, C, N co-doped MoS\(_{2}\) monolayers. Nanoscale Res. Lett. 9, 554–560 (2014)CrossRef
14.
Splendiani, A., Sun, L., Zhang, Y., Li, T., Kim, J., Chim, C.Y., Galli, G., Wang, F.: Emerging photoluminescence in monolayer MoS\(_{2}\). Nano Lett. 10, 1271–1275 (2010)CrossRef
15.
Park, S.D., Kim, S.Y.: The effect of strain on the electronic properties of MoS\(_2\) monolayers. Multi scale and Multi physics Mechanics 1, 177–186 (2015)
16.
Mak, K.F., Lee, C., Hone, J., Shan, J., Heinz, T.F.: Atomically thin MoS\(_{2}\): a new direct-gap semiconductor. Phys. Rev. Lett. 105, 136805–136815 (2010)CrossRef
Metadaten
Titel
Behavior of the dielectric function of monolayer under Uniaxial Strain
verfasst von
Maryam Nayeri
Morteza Fathipour
Arash Yazdanpanah Goharrizi
Publikationsdatum
03.09.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Computational Electronics / Ausgabe 4/2016
Print ISSN: 1569-8025
Elektronische ISSN: 1572-8137
DOI
https://doi.org/10.1007/s10825-016-0889-z

Weitere Artikel der Ausgabe 4/2016

Journal of Computational Electronics 4/2016 Zur Ausgabe

OriginalPaper

A two-dimensional (2D) analytical surface potential and subthreshold current model for the underlap dual-material double-gate (DMDG) FinFET

OriginalPaper

Design optimization of a high-breakdown-voltage GaN-based vertical HFET with composite current-blocking layer

OriginalPaper

Extensive electrostatic investigation of workfunction-modulated SOI tunnel FETs

OriginalPaper

Fabrication parameters affecting implementation of waveguide bandpass filter with complementary split-ring resonators

OriginalPaper

Simulation of dielectric behavior in RFeO orthoferrite ceramics (R = rare earth metals)

OriginalPaper

Random phonon model of dissipative electron transport in nanowire MOSFETs

Neuer Inhalt

    Bildnachweise