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Erschienen in:
Co-existence of Multiferroic Memories in CoFe2O4/Bi3.4Sm0.6Ti3O12 Composite Structures Kapitel lesen Erstes Kapitel lesen

2014 | OriginalPaper | Buchkapitel

Bipolar Attributes of Unipolar Junctionless MOSFETs

verfasst von : Mukta Singh Parihar, Abhinav Kranti

Erschienen in: Physics of Semiconductor Devices

Verlag: Springer International Publishing

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In this work, we present an analysis of bipolar effects in unipolar junctionless (JL) MOSFETs. The reason for dominant bipolar behavior in JL devices in comparison to inversion mode devices has been analyzed. Bipolar induced effects such as steep subthreshold slope, hysteresis in transfer and output characteristics, single transistor latch, and snapback are presented. Results will be useful for identifying advantages and challenges of JL transistors for dynamic memory applications.

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Metadaten
Titel
Bipolar Attributes of Unipolar Junctionless MOSFETs
verfasst von
Mukta Singh Parihar
Abhinav Kranti
Copyright-Jahr
2014
Verlag
Springer International Publishing
Buch
Physics of Semiconductor Devices

Print ISBN: 978-3-319-03001-2

Electronic ISBN: 978-3-319-03002-9

Copyright-Jahr: 2014

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-319-03002-9_42