Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Bücher
Zeitschriften
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
SLX-Digitalkonferenz: Zukunftswerkstatt 2024

Mehr Umsatz mit Top-Kontakten

Am 7. Mai erfahren Sie, wie Vertriebsteams Leadgenerierung, Leadnurturing und Leadstrategien effizient steuern können.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 16/2018

27.06.2018

Bipolar resistance switching properties of pulse laser deposited a-ZrO2/a-IGZO transparent heterojunction

verfasst von: Bhaumik V. Mistry, U. S. Joshi

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 16/2018

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Abstract

Transparent resistive switching characteristics of amorphous ZrO2 (a-ZrO2) based memory film with amorphous In and Ga co-doped ZnO (a-IGZO) conducting electrode were investigated. a-ZrO2/a-IGZO heterojunction was fabricating using pulse laser deposition techniques on quartz substrate. Structural, surface, electrical, and optical properties of a-ZrO2/a-IGZO heterojunction were investigated at room temperature. Smooth surface morphology and amorphous nature of the structure has been confirmed from the atomic force microscopy (AFM) and grazing incident X-ray diffraction (GIXRD) analysis. a-ZrO2/a-IGZO heterojunction has optical transmission exceeding 80% in visible light of electromagnetic spectrum. I–V characteristics show a forming free, bipolar resistance switching type behavior. Migration of oxygen ions from IGZO layer through ZrO2 layer creating the oxygen vacancy filament play an important role in the forming free resistive switching.
Vorheriger Artikel One-pot synthesis of graphite/MnO2 hybrids and electrochemical supercapacitor performance on different substrates
Nächster Artikel Enhanced photocatalytic activity of CeO2@α-MoO3 heterostructure

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Literatur
1.
2.
L. Wang, C.H. Yang, J. Wen, S. Gai, Y.X. Peng, J. Mater. Sci. Mater. Electron. 26, 4618 (2015)CrossRef
3.
4.
T. Nakamura, K. Homma, K. Tachibana, Nanoscale Res. Lett. 8, 76 (2013)CrossRef
5.
U.S. Joshi, S.J. Trivedi, K.H. Bhavsar, U.N. Trivedi, S.A. Khan, D.K. Avasthi, J. Appl. Phys. 105, 073704 (2009)CrossRef
6.
B.V. Mistry, R. Pinto, U.S. Joshi, J. Mater. Sci. Mater. Electron. 27, 1812 (2016)CrossRef
7.
D.S. Lee, D.J. Seong, H.J. Choi, I. Jo, R. Dong, W. Xiang, S.K. Oh, M.B. Pyun, S.O. Seo, S.H. Heo, M.S. Jo, D.K. Hwang, H.K. Park, M. Chang, M. Hasan, H.S. Hwang, in Technical Digest—International Electron Devices Meeting, 2006, p. 439
8.
P. Zhou, H. Shen, J. Li, L.Y. Chen, C. Gao, Y. Lin, T.A. Tang, Thin Solid Films 518, 5652 (2010)CrossRef
9.
P. Parreira, G.W. Paterson, S. McVitie, D.A. MacLaren, J. Phys. D 49, 095111 (2016)CrossRef
10.
Y. Kang, T. Lee, K. Moon, J. Moon, K. Hong, J. Cho, W. Lee, J. Myoung, Mater. Chem. Phys. 138, 623 (2013)CrossRef
11.
B.V. Mistry, J. Mistry, U.N. Trivedi, V.G. Joshi, U.S. Joshi, AIP Conf. Proc. 1512, 988 (2013)CrossRef
12.
X.B. Yan, H. Hao, Y.F. Chen, Y.C. Li, W. Banerjee, Appl. Phys. Lett. 105, 093502 (2014)CrossRef
13.
Y. Gao, Y. Masuda, H. Ohta, K. Koumoto, Chem. Mater. 16, 2615–2622 (2004)CrossRef
14.
15.
Y. Li, S. Long, M. Zhang, Q. Liu, L. Shao, S. Zhang, Y. Wang, Q. Zuo, S. Liu, M. Liu, IEEE Electron Device Lett. 31(2), 117–119 (2010)CrossRef
16.
T. Ishihara, I. Ohkubo, K. Tsubouchi, H. Kumigashira, U.S. Joshi, Y. Matsumoto, H. Koinuma, M. Oshima, Mater. Sci. Eng. B 148(1–3), 40–42 (2008)CrossRef
17.
B. Sun, Y.X. Liu, L.F. Liu, N. Xu, Y. Wang, X.Y. Liu, R.Q. Han, J.F. Kang, J. Appl. Phys. 105, 061630 (2009)CrossRef
18.
X. Wu, P. Zhou, J. Li, L.Y. Chen, H.B. Lv, Y.Y. Lin, T.A. Tang, Appl. Phys. Lett. 90(18), 183507 (2007)CrossRef
19.
D. Lee, H. Choi, H. Sim, D. Choi, H. Hwang, M.J. Lee, S.A. Seo, I.K. Yoo, IEEE Electron Device Lett. 26(10), 719–721 (2005)CrossRef
20.
T. Zhang, X. Ou, W. Zhang, J. Yin, Y. Xia, Z. Liu, J. Phys. D 47, 065302 (2014)CrossRef
21.
G. Khurana, P. Mishra, R.S. Katiyar, J. Appl. Phys. 114, 124508 (2013)CrossRef
22.
23.
Z. Wan, R.B. Darling, A. Majumdar, M.P. Anantram, Appl. Phys. Lett. 111, 041601 (2017)CrossRef
Metadaten
Titel
Bipolar resistance switching properties of pulse laser deposited a-ZrO2/a-IGZO transparent heterojunction
verfasst von
Bhaumik V. Mistry
U. S. Joshi
Publikationsdatum
27.06.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 16/2018
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-018-9497-y

Weitere Artikel der Ausgabe 16/2018

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 16/2018 Zur Ausgabe

OriginalPaper

Bare indium tin oxide electrode for electrochemical sensing of toxic metal ion

OriginalPaper

Green synthesis of ZnO and ZnO/CuO nanocomposites in Mentha longifolia leaf extract: characterization and their application as anti-bacterial agents

OriginalPaper

Microstructural and surface morphological studies on Co doped ZnS diluted magnetic semiconductor thin films

OriginalPaper

The influence of ZnS crystallinity on all-electroplated ZnS/CdS/CdTe graded bandgap device properties

OriginalPaper

One-step facile hydrothermal synthetic route to prepare CoS nanoplates as counter electrode material for fiber-shaped dye-sensitized solar cells

OriginalPaper

Effect of Ti3SiC2 addition on microwave absorption property of plasma sprayed Ti3SiC2/NASICON coatings

Neuer Inhalt

    Bildnachweise