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2023 | OriginalPaper | Buchkapitel

2. Bipolartransistoren

verfasst von : Peter Baumann

Erschienen in: Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen

Verlag: Springer Fachmedien Wiesbaden

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Zusammenfassung

Gezeigt wird das Vorgehen in der Extraktion statischer und dynamischer Modellparameter am Beispiel des npn-Bipolartransistors 2N 2222. Teilweise kommt dabei das Dioden-Programm von MODEL-EDITOR zur Anwendung. Grundlage für die Ermittlung der Modellparameter sind das Großsignal- und Kleinsignalmodell des Transistors. Ausgewertet werden sowohl simulierte statische Kennlinien als auch die Frequenzabhängigkeit maximaler stabiler Leistungsverstärkungen.

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Literatur
1.
CADENCE: OrCADPSPICE Demo-Versionen 9.2 bis 16.5
2.
Hoefer, E.: Nielinger, H.:SPICe. Analyseprogramm. Springer-Verlag, (1985)
3.
Sischka, F.: Notes on Modeling the Bipolartransistor, Hewlett-Packard, (1991)
4.
Baumann, P., Möller, W.: Schaltungssimulation mit Design Center, Fachbuchverlag Leipzig, (1994)
5.
Laker, K. Sansen, W.:Design of Analog Integrated Circuits and Systems, MCGraw-Hill (1994)
6.
Berkner, J.: Kompaktmodelle für Bipolartransistoren, expert-verlag (2002)
7.
Khakzar, H.: Entwurf und Simulation von Halbleiterschalungen mit PSPICE, expert-verlag (2006)
8.
Ehrhardt, D.: Integrierte analoge Schaltungstechnik, Vieweg (2000)
9.
Hower, M.: Gain Characterization of High-Frequency Linear Amplifier Devices, International Solid-State Circuits Conference (1963)
10.
Baumann, P.: und Mitautoren: Halbleiter-Praxis, Verlag Technik, Berlin (1976)
Metadaten
Titel
Bipolartransistoren
verfasst von
Peter Baumann
Copyright-Jahr
2023
Buch
Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen

Print ISBN: 978-3-658-40956-2

Electronic ISBN: 978-3-658-40957-9

Copyright-Jahr: 2023

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-658-40957-9_2