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Microsystem Technologies
Erschienen in: Microsystem Technologies 2/2016

04.12.2014 | Technical Paper

Bulk property of 1/f noise for piezoresistive Ni/Cr thin films in pressure sensors on flexible substrate

verfasst von: Moinuddin Ahmed, Donald P. Butler

Erschienen in: Microsystem Technologies | Ausgabe 2/2016

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Abstract

In the current paper, we report the 1/f noise measurement of nichrome Ni/Cr (80/20 %) thin films for two types of pressure sensors: relative pressure sensors and absolute pressure sensors. The normalized Hooge coefficient for nichrome thin film was found to be 1.89 × 10−10 for the relative pressure sensors and 4.64 × 10−11 for the absolute pressure sensors. We demonstrated that the normalized Hooge coefficient multiplied by the volume of the thin film become constant regardless of the sensor types and discuss the complexities arise for the miniaturization of MEMS sensors due to the bulk noise properties of piezoresistive thin films.
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Literatur
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Barlian AA, Park WT, Mallon JR Jr, Rastegar AJ, Pruitt BL (2009) Review: semiconductor piezoresistance for microsystems. Proceedings of IEEE Inst Electr Electron Eng, pp 513–552
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Metadaten
Titel
Bulk property of 1/f noise for piezoresistive Ni/Cr thin films in pressure sensors on flexible substrate
verfasst von
Moinuddin Ahmed
Donald P. Butler
Publikationsdatum
04.12.2014
Verlag
Springer Berlin Heidelberg
Erschienen in
Microsystem Technologies / Ausgabe 2/2016
Print ISSN: 0946-7076
Elektronische ISSN: 1432-1858
DOI
https://doi.org/10.1007/s00542-014-2387-1

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