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Erschienen in: Semiconductors 11/2018

01.11.2018 | XXII INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOPHYSICS AND NANOELECTRONICS”, NIZHNY NOVGOROD, MARCH 12–15, 2018

Calculation of Multiply Charged States of Impurity-Defect Centers in Epitaxial Hg1 –xCdxTe Layers

verfasst von: D. V. Kozlov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, H.-W. Hübers, V. I. Gavrilenko

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 11/2018

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Abstract

A method for calculating the states of multivalent donors and acceptors in Hg1 –xCdxTe materials is developed. The ionization energies of deep acceptor and donor centers in epitaxial Hg1 –xCdxTe films are calculated. The calculation method takes into account the influence of both the valence band and the conduction band on the states of impurity-defect centers. The calculations of energies for the levels of tetravalent acceptors and donors associated with crystalline structure defects indicate the intercenter nature of lines observed previously in the photoluminescence spectra of Hg1 –xCdxTe films.

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Literatur
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Zurück zum Zitat V. V. Rumyantsev, D. V. Kozlov, S. V. Morozov, M. A. Fadeev, A. M. Kadykov, F. Teppe, V. S. Varavin, M. V. Yakushev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, and V. I. Gavrilenko, Semicond. Sci. Technol. 32, 095007 (2017).ADSCrossRef V. V. Rumyantsev, D. V. Kozlov, S. V. Morozov, M. A. Fadeev, A. M. Kadykov, F. Teppe, V. S. Varavin, M. V. Yakushev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, and V. I. Gavrilenko, Semicond. Sci. Technol. 32, 095007 (2017).ADSCrossRef
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Zurück zum Zitat D. L. Polla, R. L. Aggarwal, J. A. Mroczkowski, J. F. Shanley, and M. B. Reine, Appl. Phys. Lett. 40, 338 (1982).ADSCrossRef D. L. Polla, R. L. Aggarwal, J. A. Mroczkowski, J. F. Shanley, and M. B. Reine, Appl. Phys. Lett. 40, 338 (1982).ADSCrossRef
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Zurück zum Zitat D. L. Polla, R. L. Aggarwal, D. A. Nelson, J. F. Shanley, and M. B. Reine, Appl. Phys. Lett. 43, 941 (1983).ADSCrossRef D. L. Polla, R. L. Aggarwal, D. A. Nelson, J. F. Shanley, and M. B. Reine, Appl. Phys. Lett. 43, 941 (1983).ADSCrossRef
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Zurück zum Zitat K. D. Mynbaev, A. V. Shilyaev, N. L. Bazhenov, A. I. Izhnin, I. I. Izhnin, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, and S. A. Dvoretsky, Semiconductors 49, 367 (2015).ADSCrossRef K. D. Mynbaev, A. V. Shilyaev, N. L. Bazhenov, A. I. Izhnin, I. I. Izhnin, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, and S. A. Dvoretsky, Semiconductors 49, 367 (2015).ADSCrossRef
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Zurück zum Zitat I. I. Izhnin, A. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, N. L. Bazhenov, E. I. Fitsych, M. V. Yakushev, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, and S. A. Dvoretskii, Semiconductors 48, 195 (2014).ADSCrossRef I. I. Izhnin, A. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, N. L. Bazhenov, E. I. Fitsych, M. V. Yakushev, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, and S. A. Dvoretskii, Semiconductors 48, 195 (2014).ADSCrossRef
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Zurück zum Zitat E. G. Novik, A. Pfeuffer-Jeschke, T. Jungwirth, V. Latussek, C. R. Becker, and G. Landwehr, Phys. Rev. B 72, 035321 (2005).ADSCrossRef E. G. Novik, A. Pfeuffer-Jeschke, T. Jungwirth, V. Latussek, C. R. Becker, and G. Landwehr, Phys. Rev. B 72, 035321 (2005).ADSCrossRef
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Zurück zum Zitat V. Ya. Aleshkin, B. A. Andreev, V. I. Gavrilenko, I. V. Erofeeva, D. V. Kozlov, and O. A. Kuznetsov, Semiconductors 34, 563 (2000).ADSCrossRef V. Ya. Aleshkin, B. A. Andreev, V. I. Gavrilenko, I. V. Erofeeva, D. V. Kozlov, and O. A. Kuznetsov, Semiconductors 34, 563 (2000).ADSCrossRef
Metadaten
Titel
Calculation of Multiply Charged States of Impurity-Defect Centers in Epitaxial Hg1 –xCdxTe Layers
verfasst von
D. V. Kozlov
V. V. Rumyantsev
S. V. Morozov
A. M. Kadykov
M. A. Fadeev
H.-W. Hübers
V. I. Gavrilenko
Publikationsdatum
01.11.2018
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 11/2018
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782618110131

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