01.11.2018 | XXII INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOPHYSICS AND NANOELECTRONICS”, NIZHNY NOVGOROD, MARCH 12–15, 2018
Calculation of Multiply Charged States of Impurity-Defect Centers in Epitaxial Hg1 –xCdxTe Layers
Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 11/2018
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