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01.11.2018 | XXII INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOPHYSICS AND NANOELECTRONICS”, NIZHNY NOVGOROD, MARCH 12–15, 2018 | Ausgabe 11/2018

Semiconductors 11/2018

Calculation of Multiply Charged States of Impurity-Defect Centers in Epitaxial Hg1 –xCdxTe Layers

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 11/2018
Autoren:
D. V. Kozlov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, H.-W. Hübers, V. I. Gavrilenko
Wichtige Hinweise
Translated by N. Korovin

Abstract

A method for calculating the states of multivalent donors and acceptors in Hg1 –xCdxTe materials is developed. The ionization energies of deep acceptor and donor centers in epitaxial Hg1 –xCdxTe films are calculated. The calculation method takes into account the influence of both the valence band and the conduction band on the states of impurity-defect centers. The calculations of energies for the levels of tetravalent acceptors and donors associated with crystalline structure defects indicate the intercenter nature of lines observed previously in the photoluminescence spectra of Hg1 –xCdxTe films.

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