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2014 | OriginalPaper | Buchkapitel

Catalytic Growth of 3C-SiC Nanorods: Structural and Optical Characterization

verfasst von : Afzal Khan, Chacko Jacob

Erschienen in: Physics of Semiconductor Devices

Verlag: Springer International Publishing

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Cubic (3C)-silicon carbide (SiC) nanorods were grown in an inductively heated horizontal cold wall quartz tube reactor by atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD). A single source precursor, hexamethyldisilane (HMDS) was used for both silicon and carbon and hydrogen (H

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) as a carrier gas. A 10 nm thin film of nickel was used as a catalyst. As-grown nanorods were characterized by x-ray diffraction (XRD), Raman spectroscopy and field emission scanning electron microscopy (FESEM) to confirm the crystalline nature and the surface morphology of these nanorods. The room temperature photoluminescence (RTPL) spectrum showed the violet-blue emission from these nanorods.

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Metadaten
Titel
Catalytic Growth of 3C-SiC Nanorods: Structural and Optical Characterization
verfasst von
Afzal Khan
Chacko Jacob
Copyright-Jahr
2014
Verlag
Springer International Publishing
DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-319-03002-9_136