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01.08.2013 | Ausgabe 8/2013

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 8/2013

CdS quantum dot sensitized nanocrystalline Gd-doped TiO2 thin films for photoelectrochemical solar cells

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 8/2013
Autoren:
A. Ranjitha, N. Muthukumarasamy, M. Thambidurai, Dhayalan Velauthapillai, R. Balasundaraprabhu, S. Agilan

Abstract

CdS quantum dot sensitized Gd-doped TiO2 nanocrystalline thin films have been prepared by chemical method. X-ray diffraction analysis reveals that TiO2 and Gd-doped TiO2 nanocrystalline thin films are of anatase phase. The absorption spectra revealed that the absorption edge of CdS quantum dot sensitized Gd-doped TiO2 thin films shifted towards longer wavelength side (red shift) when compared to that of CdS quantum dot sensitized TiO2 films. CdS quantum dots with a size of 5 nm have been deposited onto Gd-doped TiO2 film surface by successive ionic layer adsorption and reaction method and the assembly of CdS quantum dot with Gd-doped TiO2 has been used as photo-electrode in quantum dot sensitized solar cells. CdS quantum dot sensitized Gd-doped TiO2 based solar cell exhibited a power conversion efficiency of 1.18 %, which is higher than that of CdS quantum dot sensitized TiO2 (0.91 %).

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