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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 1/2017

10.08.2016

Characterization of quaternary AlInGaN films obtained by incorporating Al into InGaN film with the RF reactive magnetron sputtering technology

verfasst von: Kaifan Lin, Dong-Hau Kuo

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 1/2017

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Abstract

Al incorporation into the InGaN films has been successfully attained from the cermet targets under the working temperature of 200 °C and output power of 120 W by the RF sputtering technique. We used energy dispersive spectroscopy to analyze the compositions of the AlxInyGa1−x−yN, and X-ray diffractometry and atomic force microscopy had been taken to obtain the crystal structure and growth characteristics of the AlInGaN films. Composition-affected electrical properties of the films had been discussed by the Hall measurement, which also identified the incorporation of Al into the InGaN film in this work. A simple n-AlInGaN/p-Si diode is designed to illustrate the potential application of the sputtered AlInGaN in an electrical device.
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Metadaten
Titel
Characterization of quaternary AlInGaN films obtained by incorporating Al into InGaN film with the RF reactive magnetron sputtering technology
verfasst von
Kaifan Lin
Dong-Hau Kuo
Publikationsdatum
10.08.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 1/2017
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-016-5490-5

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