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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 2/2016

09.12.2015

Charged Defects-Induced Resistive Switching in Sb2Te3 Memristor

verfasst von: J. J. Zhang, N. Liu, H. J. Sun, P. Yan, Y. Li, S. J. Zhong, S. Xie, R. J. Li, X. S. Miao

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 2/2016

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Metadaten
Titel
Charged Defects-Induced Resistive Switching in Sb2Te3 Memristor
verfasst von
J. J. Zhang
N. Liu
H. J. Sun
P. Yan
Y. Li
S. J. Zhong
S. Xie
R. J. Li
X. S. Miao
Publikationsdatum
09.12.2015
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 2/2016
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-015-4241-3

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