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Erschienen in: Journal of Electronic Materials 10/2016

30.06.2016

Circuit Compatible Model for Electrostatic Doped Schottky Barrier CNTFET

verfasst von: Amandeep Singh, Mamta Khosla, Balwinder Raj

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 10/2016

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Metadaten
Titel
Circuit Compatible Model for Electrostatic Doped Schottky Barrier CNTFET
verfasst von
Amandeep Singh
Mamta Khosla
Balwinder Raj
Publikationsdatum
30.06.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 10/2016
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-016-4743-7

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