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Optical and Quantum Electronics
Erschienen in: Optical and Quantum Electronics 6/2015

01.06.2015

Circuit model of uni-traveling carrier photodiode with high power and enhanced bandwidth technique

verfasst von: Senjuti Khanra, Abhirup Das Barman

Erschienen in: Optical and Quantum Electronics | Ausgabe 6/2015

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Abstract

An electrical equivalent circuit model of InGaAs/InP uni-travelling carrier photodiode (UTC-PD) is presented. The model is suitable to be built on any electrical circuit simulator to optimize the design parameters of the device. Its performance in terms of bandwidth, linearity, third order inter-modulation distortion and output photo current are investigated. Simulation techniques to measure inter-modulation distortion products and linearity are given in detail. The result obtained by the modeling technique is validated through a comparison with the reported experimental results. It is shown that 3 dB cutoff frequency and output photocurrent can be substantially improved by inserting a small inductance in series with the load together with choosing an optimum absorption layer width in UTC-PD. This technique does not sacrifice the device linearity to a large extent.
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Literatur
Beling, A., Pan, H., Chen, H., Campbell, J.C.: Linearity of modified uni-traveling carrier photodiodes. J. Lightw. Technol. 26(15), 2373–2378 (2008)CrossRefADS
Chtioui, M., Lelarge, F., Enard, A., Pommereau, F., Carpentier, D., Marceaux, A., Dijk, F.V., Achouche, M.: High responsivity and high power UTC and MUTC GaInAs-InP photodiodes. IEEE Photonics Tech. Lett. 24(4), 318–320 (2012)CrossRefADS
Hekkala, A., Lasanen, M., Harjula, I., Vieira, L.C., Gomes, N.J., Nkansah, A., Bittner, S., Diehm, F., Kotzsch, V.: Analysis of and compensation for non-ideal RoF links in DAS. IEEE Wirel. Commun. 10, 1284–1536 (2010)
Ishibashi, T., Furuta, T., Fushimi, H., Kodama, S., Ito, H., Nagatsuma, T., Shimizu, N., Miyamoto, Y.: InP/InGaAs uni-traveling-carrier photodiodes. IEICE Trans. Electron. E83–C(6), 938–949 (2000)
Ishibashi, T., Furuta, T., Fushimi, H., Ito, H.: Photoresponse characteristicsof uni-traveling-carrier photodiodes. Proc. SPIE Phys. Simul. Optoelectron. Dev. IX San Jose 4283, 469–479 (2001)ADS
Ito, H., Nagatsuma, T., Hirata, A., Minotani, T., Sasaki, A., Hirota, Y., Ishibashi, T.: High-power photonic millimeter wave generation at 100 GHz using matching-circuit-integrated uni-travelling-carrier photodiodes. IEE Proc. Optoelectron. 150(2), 138–142 (2003)CrossRef
Ito, H., Kodama, S., Muramoto, Y., Furuta, T., Nagatsuma, T., Ishibashi, T.: High-speed and high-output InP-InGaAs uni-traveling carrier photodiodes. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 10(4), 709–727 (2004)CrossRef
Kuo, F-M., Hsu, T-C., Shi, J-W.: Strong bandwidth-enhancement effect in high-speed GaAs/AlGaAs based uni-traveling carrier photodiode under small photocurrent and zero-bias operation. In: Proceedings of LEOS Annual Meeting, TuB3, Belec-Antalya, pp. 141–142 (2009)
Lasaosa, D., Shi, J.-W., Pasquariello, D., Gan, K.-G., Tien, M.-C., Chang, H.-H., Chu, S.-W., Sun, C.-K., Chiu, Y.-J., Bowers, J.E.: Traveling-wave photodetectors with high power-bandwidth and gain-bandwidth product performance. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 10(4), 728–741 (2004)CrossRef
Leavittt, R.P., Bradshaw, J.L.: Transit time effects on photocurrent spectra of multiple quantum well diodes. Appl. Phys. Lett. 59(19), 2433–2435 (1991)CrossRefADS
Pan, H., Li, Z., Campbell, J.C.: High-power high-resposivity modified uni-traveling-carrier photodiode used as V-band optoelectronic mixers. J. Lightw. Technol. 28(8), 1184–1189 (2010)CrossRefADS
Piprek, J., Pasquariello, D., Lasaosa, D., Bowers, J.E.: Novel waveguide photodetectors on InP with integrated light amplification. Proc. Electrochem. Soc. 2003(4), 1–8 (2003)
Shi, J.-W., Huang, C.-B., Pan, C.-L.: Millimeter-wave photonic wireless links for very high data rate communication. NPG Asia Mater. 3, 41–48 (2001)CrossRef
Simons, R.N.: Coplanar Waveguide Circuits, Components, and Systems. Wiley, New York (2001)CrossRef
Yao, J.: A tutorial on microwave photonics, Research Highlights. IEEE Photonics Soc. Newsl. 26, 5–12 (2012)
Zhu, H.: Performance comparison between distributed antenna and microcellular systems. IEEE J. Sel. Areas Commun. 29(6), 1151–1163 (2011)CrossRef
Metadaten
Titel
Circuit model of uni-traveling carrier photodiode with high power and enhanced bandwidth technique
verfasst von
Senjuti Khanra
Abhirup Das Barman
Publikationsdatum
01.06.2015
Verlag
Springer US
Erschienen in
Optical and Quantum Electronics / Ausgabe 6/2015
Print ISSN: 0306-8919
Elektronische ISSN: 1572-817X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11082-014-0094-x

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