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2016 | OriginalPaper | Buchkapitel

2. CMOS Transistor Reliability and Variability Mechanisms

verfasst von : Jiann-Shiun Yuan

Erschienen in: CMOS RF Circuit Design for Reliability and Variability

Verlag: Springer Singapore

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Abstract

This chapter talks about device reliability mechanisms such as hot electron injection, gate oxide breakdown, negative bias temperature instability and process variation.

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Metadaten
Titel
CMOS Transistor Reliability and Variability Mechanisms
verfasst von
Jiann-Shiun Yuan
Copyright-Jahr
2016
Verlag
Springer Singapore
Buch
CMOS RF Circuit Design for Reliability and Variability

Print ISBN: 978-981-10-0882-5

Electronic ISBN: 978-981-10-0884-9

Copyright-Jahr: 2016

DOI
https://doi.org/10.1007/978-981-10-0884-9_2

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    Bildnachweise