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Erschienen in:

03.04.2019

Compact modeling of GIDL-assisted erase in 3-D NAND Flash strings

verfasst von: Gerardo Malavena, Aurelio Mannara, Andrea L. Lacaita, Alessandro Sottocornola Spinelli, Christian Monzio Compagnoni

Erschienen in: Journal of Computational Electronics | Ausgabe 2/2019

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Abstract

This paper presents a physics-based compact model able to describe the time dynamics of the erase operation in three-dimensional NAND Flash strings exploiting gate-induced drain leakage at the selector to increase the string potential. The model accurately reproduces all the main phases of the erase operation and allows to calculate the threshold voltage transient arising from hole injection into and electron emission from the gate stack of the memory cells, accounting for the correct cylindrical geometry of the string. Thanks to its simple structure, the model is suitable for parametric analyses aiming at optimizing the string structure and the operating waveforms from the standpoint of the erase performance.

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Titel: Compact modeling of GIDL-assisted erase in 3-D NAND Flash strings
verfasst von: Gerardo Malavena
Aurelio Mannara
Andrea L. Lacaita
Alessandro Sottocornola Spinelli
Christian Monzio Compagnoni
Publikationsdatum: 03.04.2019
Verlag: Springer US
Erschienen in: Journal of Computational Electronics / Ausgabe 2/2019
Print ISSN: 1569-8025
Elektronische ISSN: 1572-8137
DOI: https://doi.org/10.1007/s10825-019-01328-0

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