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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 4/2014

01.04.2014

Comparative DC Characteristic Analysis of AlGaN/GaN HEMTs Grown on Si(111) and Sapphire Substrates by MBE

verfasst von: Partha Mukhopadhyay, Ankush Bag, Umesh Gomes, Utsav Banerjee, Saptarsi Ghosh, Sanjib Kabi, Edward Y. I. Chang, Amir Dabiran, Peter Chow, Dhrubes Biswas

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 4/2014

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Metadaten
Titel
Comparative DC Characteristic Analysis of AlGaN/GaN HEMTs Grown on Si(111) and Sapphire Substrates by MBE
verfasst von
Partha Mukhopadhyay
Ankush Bag
Umesh Gomes
Utsav Banerjee
Saptarsi Ghosh
Sanjib Kabi
Edward Y. I. Chang
Amir Dabiran
Peter Chow
Dhrubes Biswas
Publikationsdatum
01.04.2014
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 4/2014
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-014-3050-4

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