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Erschienen in: Journal of Electronic Materials 9/2020

26.04.2020 | Topical Collection: 18th Conference on Defects (DRIP XVIII)

Comparative Study of the Photoelastic Anisotropy of Si and GaAs

verfasst von: Martin Herms, Gert Irmer, Gregor Kupka, Nando Kirchner, Matthias Wagner

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 9/2020

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Metadaten
Titel
Comparative Study of the Photoelastic Anisotropy of Si and GaAs
verfasst von
Martin Herms
Gert Irmer
Gregor Kupka
Nando Kirchner
Matthias Wagner
Publikationsdatum
26.04.2020
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 9/2020
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-020-08141-7

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