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Erschienen in:
2007 | OriginalPaper | Buchkapitel
CONCLUSION
verfasst von : Stephan Henzler, Dipl.-Ing.
Erschienen in: Power Management of Digital Circuits in Deep Sub-Micron CMOS Technologies
Verlag: Springer Netherlands
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Ideal MOSFET scaling is impossible in the deep sub-micron regime due to some non scaling quantities like the thermal voltage, the built-in potential and the thickness of an atomic mono-layer. This results in continuously growing leakage currents which contribute more and more to the overall power consumption of digital integrated circuits.