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Physics of Metals and Metallography
Erschienen in:

01.02.2024 | ELECTRICAL AND MAGNETIC PROPERTIES

Contact Potential Difference in the Absence of a Current through a Sample in the Quantum Hall Effect Regime in InGaAs/InAlAs Heterostructure

verfasst von: S. V. Gudina, V. N. Neverov, K. V. Turutkin, I. S. Vasil’evskii, A. N. Vinichenko

Erschienen in: Physics of Metals and Metallography | Ausgabe 2/2024

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Abstract

The paper presents experimental results of the appearance of a voltage at the potential contacts in the absence of an external current through a sample in the plateau region of the quantum Hall effect in a heterostructure with an InGaAs/InAlAs quantum well. The occurrence of a voltage is associated with the nonequivalence of the edge current in the potential contact areas in a magnetic field in a system with a two-dimensional electron gas.
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Literatur
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V. A. Kul’bachinskii (unpublished data).
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S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, E. I. Ilchenko, V. N. Neve-rov, A. P. Savelyev, S. M. Podgornykh, N. G. Shelu-shinina, M. V. Yakunin, I. S. Vasil’evskii, and A. N. Vinichenko, “Nonuniversal scaling behavior of conductivity peak widths in the quantum Hall effect in InGaAs/InAlAs structures,” Semiconductors 52, 1551–1558 (2018). https://​doi.​org/​10.​1134/​s106378261812010​2CrossRef
6.
S. G. Kalashnikov, Electricity (Nauka, Moscow, 1970).
Metadaten
Titel
Contact Potential Difference in the Absence of a Current through a Sample in the Quantum Hall Effect Regime in InGaAs/InAlAs Heterostructure
verfasst von
S. V. Gudina
V. N. Neverov
K. V. Turutkin
I. S. Vasil’evskii
A. N. Vinichenko
Publikationsdatum
01.02.2024
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Physics of Metals and Metallography / Ausgabe 2/2024
Print ISSN: 0031-918X
Elektronische ISSN: 1555-6190
DOI
https://doi.org/10.1134/S0031918X23603165

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