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02.03.2018 | Ausgabe 2/2018

Journal of Computational Electronics 2/2018

Continuous semianalytical modeling of vertical surrounding-gate tunnel FET: analog/RF performance evaluation

Zeitschrift:
Journal of Computational Electronics > Ausgabe 2/2018
Autoren:
Nidhal Abdelmalek, Fayçal Djeffal, Toufik Bentrcia

Abstract

A continuous and accurate model based on the two-dimensional (2D) potential solution of a tunnel field-effect transistor (TFET) with undoped vertical surrounding-gate (VSG) structure is proposed. Both ambipolarity and dual modulation effects are included to obtain a more accurate analytical model, whose validity is demonstrated by comparison with two-dimensional numerical simulations using ATLAS-2D. The continuity of the proposed model enables extraction of analog/radiofrequency (RF) parameters and device figures of merit. Moreover, the effect of introducing a high-\(\kappa \) layer on the gate oxide in improving the behavior of the VSG-TFET is explored for use in high-performance analog/RF applications. The proposed continuous analytical model can be easily implemented in commercial simulators to study and investigate VSG-TFET-based nanoelectronic circuits.

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