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Journal of Computational Electronics
Erschienen in: Journal of Computational Electronics 1/2019

23.03.2019 | Correction

Correction to: Analytical modeling and simulation of a fully depleted three-gate silicon MESFET on SOI material

verfasst von: Hossein Mohammadi, Huda Abdullah, Dee Chang Fu, P. Susthitha Menon, Iraj Sadegh Amiri

Erschienen in: Journal of Computational Electronics | Ausgabe 1/2019

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Metadaten
Titel
Correction to: Analytical modeling and simulation of a fully depleted three-gate silicon MESFET on SOI material
verfasst von
Hossein Mohammadi
Huda Abdullah
Dee Chang Fu
P. Susthitha Menon
Iraj Sadegh Amiri
Publikationsdatum
23.03.2019
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Computational Electronics / Ausgabe 1/2019
Print ISSN: 1569-8025
Elektronische ISSN: 1572-8137
DOI
https://doi.org/10.1007/s10825-019-01325-3

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