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Erschienen in: Journal of Materials Science 28/2020

24.06.2020 | Correction

Correction to: Effects of doping and biaxial strain on the electronic properties of GaN/graphene/WS2 trilayer vdW heterostructure

verfasst von: Jiangshan Zheng, Enling Li, Zhen Cui, Deming Ma, Xiaolin Wang

Erschienen in: Journal of Materials Science | Ausgabe 28/2020

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Metadaten
Titel
Correction to: Effects of doping and biaxial strain on the electronic properties of GaN/graphene/WS2 trilayer vdW heterostructure
verfasst von
Jiangshan Zheng
Enling Li
Zhen Cui
Deming Ma
Xiaolin Wang
Publikationsdatum
24.06.2020
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science / Ausgabe 28/2020
Print ISSN: 0022-2461
Elektronische ISSN: 1573-4803
DOI
https://doi.org/10.1007/s10853-020-04903-0

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