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Erschienen in:

2010 | OriginalPaper | Buchkapitel

1. Crystal Growth Techniques and Characterization: An Overview

verfasst von : Govindhan Dhanaraj, Kullaiah Byrappa, Vishwanath (Vish) Prasad, Michael Dudley

Erschienen in: Springer Handbook of Crystal Growth

Verlag: Springer Berlin Heidelberg

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Abstract

A brief overview of crystal growth techniques and crystal analysis and characterization methods is presented here. This is a prelude to the details in subsequent chapters on fundamentals of growth phenomena, details of growth processes, types of defects, mechanisms of defect formation and distribution, and modeling and characterization tools that are being employed to study as-grown crystals and bring about process improvements for better-quality and large-size crystals.

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1.1.

J. Kepler: Strena seu de nive sexangula (Tampach, Frankfurt 1611)

1.2.

N. Steno: De solido intra solidum naturaliter contento dissertationis prodromus (Stella, Florence 1669), English translation by J.G. Winter (Hafner, New York 1968

1.3.

H.J. Scheel: Historical introduction. In: Handbook of Crystal Growth, Vol. 1a, ed. by D.T.J. Hurle (Elsevier, Amsterdam 1993) pp. 1–41, Chap. 1

1.4.

D. Elwell, H.J. Scheel: Crystal Growth from High Temperature Solution (Academic, London 1975)

1.5.

J.W. Gibbs: On the Equilibrium of Heterogeneous Substances, Collected Works (Longmans Green, New York 1928)MATH

1.6.

W. Kossel: Zur Theorie des Kristallwachstums, Nachr. Ges. Wiss. Göttingen 135, 135–143 (1927)

1.7.

P. Curie: Sur la formation des criteaux et sur les constantes capillaires de leurs differentes faces, Bull. Soc. Franc. Mineral. 8, 145–150 (1885)

1.8.

G. Wulff: Zur Frage der Geschwindigkeit des Wachstums und der Auflösung von Krystallflächen, Z. Kristallogr. 34, 449 (1901)

1.9.

R. Marc, A. Ritzel: Über die Faktoren, die den Kristallhabitus bedingen, Z. Phys. Chem. 76, 584 (1911)

1.10.

A. Bravais, A. Etudes: Crystallographiques (Gauthier Villers, Paris 1866)

1.11.

W. Nernst: Theorie der Reaktionsgeschwindigkeit in heterogenen Systemen, Z. Phys. Chem. 47(1), 52–55 (1904)

1.12.

A.A. Noyes, W.R. Whitney: Über die Auflösungsgeschwindigkeit von festen Stoffen in ihren eigenen Lösungen, Z. Phys. Chem. 23, 689–692 (1897)

1.13.

I.N. Stranski: Zur Theorie des Kristallwachstums, Z. Phys. Chem. 136, 259–278 (1928)

1.14.

M. Volmer, A. Weber: Keimbildung in übersättigten Gebilden, Z. Phys. Chem. 119, 277–301 (1926)

1.15.

E.A. Brandes: Smithells Reference Book (Butterworths, London 1983)

1.16.

F.C. Frank: The influence of dislocations on crystal growth, Discuss. Faraday Soc. 5, 48–54 (1949)CrossRef

1.17.

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1.18.

K. Byrappa, D.Y. Pushcharovsky: Crystal chemistry and its significance on the growth of technological materials, Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 24, 269–350 (1992)CrossRef

1.19.

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1.20.

K. Byrappa, M. Yoshimura: Handbook of Hydrothermal Technology (William Andrew Noyes, Norwich 2001)

1.21.

W. Tolksdorf: Flux growth. In: Handbook of Crystal Growth-Bulk Crystal Growth, Vol. 2, ed. by D.T.J. Hurle (North-Holland, Amsterdam 1994) p. 563, Chap. 10

1.22.

R.A. Laudise: The Growth of Single Crystals (Prentice Hall, Englewood Cliffs 1970)

1.23.

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1.24.

V.V. Timofeeva: Growth of Crystals from High Temperature Solutions (Nauka, Moscow 1975)

1.25.

A. Verneuil: Production artificielle du rubis par fusion, C. R. Paris 135, 791–794 (1902)

1.26.

D.T.J. Hurle, B. Cockyane: Czochralski growth. In: Handbook of Crystal Growth, Vol. 2a, ed. by D.T.J. Hurle (North Holland, Amsterdam 1994) pp. 99–212, Chap. 3

1.27.

D.T.J. Hurle (Ed.): Handbook of Crystal Growth (North Holland, Amsterdam 1994)

1.28.

G. Stringfellow: Organometallic Vapor-Phase Epitaxy: Theory and Practice, 2nd edn. (Academic, New York 1998)

1.29.

R. Fornari: Vapor phase epitaxial growth and properties of III-Nitride materials. In: Crystal Growth of Technologically Important Electronic Materials, ed. by K. Byrappa, T. Ohachi, H. Klapper, R. Fornari (Allied Publishers, New Delhi 2003)

1.30.

A.R. Verma: Crystal Growth and Dislocations (Butterworths, London 1953)MATH

1.31.

S. Amelinckx: The direct observation of dislocations. In: Solid State Physics, ed. by F. Seitz, D. Turnbull (Academic, New York 1964), Suppl. 6

1.32.

E.A. Wood: Crystals and Light (Dover, New York 1977)

1.33.

B.K. Tanne: High resolution x-ray diffraction and topography for crystal characterization, J. Cryst. Growth 99, 1315 (1990)ADSCrossRef

1.34.

B.K. Tanner: X-ray Diffraction Topography (Pergamon, Oxford 1976)

1.35.

V.W. Berg: Über eine röntgenographische Methode zur Untersuchung von Gitterstörung an Kristallen, Naturwissenschaften 19, 391–396 (1931)ADSCrossRef

1.36.

A.R. Lang: Direct observation of individual dislocations, J. Appl. Phys. 29, 597–598 (1958)ADSCrossRef

1.37.

C.S. Barrett: A new microscopy and its potentialities, Trans. AIME 161, 15–65 (1945)

1.38.

W.L. Bond, J. Andrus: Structural imperfections in quartz crystals, Am. Mineral. 37, 622–632 (1952)

1.39.

G.H. Schwuttke: New x-ray diffraction microscopy technique for study of imperfections in semiconductor crystals, J. Appl. Phys. 36, 2712–2714 (1965)ADSCrossRef

1.40.

A.R. Lang: Point-by-point x-ray diffraction studies of imperfections in melt-grown crystals, Acta Cryst. 10, 839 (1957)CrossRef

1.41.

J. Miltat: White beam synchrotron radiation. In: Characterization of Crystal Growth Defects by X-ray Methods, NATO ASI Ser. B, Vol. 63, ed. by B.K. Tanner, D.K. Bowen (Plenum, New York 1980) pp. 401–420CrossRef

1.42.

B. Ragothamachar, G. Dhanaraj, M. Dudley: Direct analysis in crystals using x-ray topography, Microsc. Res. Tech. 69, 343 (2006)CrossRef

1.43.

A.J. Forty: Direct observations of dislocations in crystals, Adv. Phys. 3, 1–25 (1954)ADSCrossRef

1.44.

W.G. Johnson: Dislocations etchpits in nonmetallic crystals. In: Progress in Ceramics, Vol. 2, ed. by J.E. Burke (Pergamon, Oxford 1962) p. 1

1.45.

K. Sangawal: Etching of Crystals (North-Holland, Amsterdam 1987)

1.46.

J.J. Gilman, W.G. Johnston: Behaviour of individual dislocations in strain-hardened LiF crystals, J. Appl. Phys. 31, 687–692 (1960)ADSCrossRef

1.47.

W.J. Choyke, H. Matsunami, G. Pensl (Eds.): Silicon Carbide: Recent Major Advances (Springer, Berlin, Heidelberg 2004)

1.48.

A. Hossain, A.E. Bolotnikov, G.S. Camarda, Y. Cui, G. Yang, K-H. Kim, R. Gul, L. Xu, R.B. James: Extended defects in CdZnTe crystals: Effects on device performance, J. Cryst. Growth (2010) in press (doi:10.1016/j.jcrysgro.2010.03.005)

1.49.

U.N. Roy, S. Weler, J. Stein, A. Gueorguiev: Unseeded growth of CdZnTe:In by THM technique, Proc. SPIE 7449, 74490U (2009)ADSCrossRef

1.50.

J. Jimenez (Ed.): Microprobe Characterization of Optoelectronic Materials (Taylor Francis, New York 2003)

Titel: Crystal Growth Techniques and Characterization: An Overview
verfasst von: Govindhan Dhanaraj
Kullaiah Byrappa
Vishwanath (Vish) Prasad
Michael Dudley
Verlag: Springer Berlin Heidelberg
Buch: Springer Handbook of Crystal Growth
Print ISBN: 978-3-540-74182-4

Electronic ISBN: 978-3-540-74761-1

Copyright-Jahr: 2010
DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-540-74761-1_1

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