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Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Crystal structure, microstructure and microwave dielectric properties of novel MgAl2Ti3O10 ceramic

  • 17.01.2018
Erschienen in:
Verfasst von
Huanfu Zhou
Wendong Sun
Jin Huang
Kangguo Wang
Xiuli Chen
Xiaobin Liu
Hong Ruan
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 8/2018

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Abstract

In the present work, a novel MgAl2Ti3O10 ceramic was obtained using a traditional solid-state reaction method. X-ray diffraction and energy dispersive spectrometer showed that the main MgAl2Ti3O10 phase was formed after sintered at 1300–1450 °C. With rising the sintering temperature from 1300 to 1450 °C, the bulk density (ρ), relative permittivity (ε r ) and Q × f value firstly increased, reached the maximum values (3.61 g/cm3, 14.9, and 26,450 GHz) and then decreased. The temperature coefficient of resonator frequency (τ f ) showed a slight change at a negative range of − 94.6 to − 83.7 ppm/°C. When the sintering temperature was 1400 °C, MgAl2Ti3O10 ceramics exhibited the best microwave dielectric properties with Q × f = 26,450 GHz, ε r  = 14.9 and τ f  = − 83.7 ppm/°C.

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Titel
Crystal structure, microstructure and microwave dielectric properties of novel MgAl2Ti3O10 ceramic
Verfasst von
Huanfu Zhou
Wendong Sun
Jin Huang
Kangguo Wang
Xiuli Chen
Xiaobin Liu
Hong Ruan
Publikationsdatum
17.01.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 8/2018
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-018-8599-x
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